array(2) { ["lab"]=> string(3) "154" ["publication"]=> string(4) "1425" } Field-Induced n-Doping of Black Phosphorus for CMOS Compatible 2D Logic Electronics with High Electron Mobility - 张跃钢课题组 | LabXing
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张跃钢课题组

简介

大学 清华大学 / 物理系
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Field-Induced n-Doping of Black Phosphorus for CMOS Compatible 2D Logic Electronics with High Electron Mobility

2017
期刊 Advanced Functional Materials
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